Number of the records: 1
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
SYS 0373041 LBL 02543^^^^^2200361^^^450 005 20240103200445.0 100 $a 20120202d m y slo 03 ba 101 0-
$a eng 102 $a US 200 1-
$a InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots 215 $a 1 s. 463 -1
$1 001 cav_un_epca*0373028 $1 010 $a N. $1 200 1 $a The 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy. 2009 Abstract Book $v S. 68 $1 210 $a Warren $c American Association for Crystal Growth $d 2009 610 0-
$a low dimensional structures 610 0-
$a photoluminescence 610 0-
$a low-pressure MOVPE 610 0-
$a InAs/GaAs quantum dots 610 0-
$a semiconducting III/V materials 700 -1
$3 cav_un_auth*0100238 $a Hospodková $b Alice $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100250 $a Hulicius $b Eduard $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100426 $a Oswald $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100432 $a Pangrác $b Jiří $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0015168 $a Hazdra $b P. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0254173 $a Caha $b O. $y CZ $4 070 701 -1
$3 cav_un_auth*0238063 $a Vyskočil $b Jan $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. 701 -1
$3 cav_un_auth*0100338 $a Kuldová $b Karla $i Polovodiče $j Semiconductors $p FZU-D $w Semiconductors $4 070 $T Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Number of the records: 1