Number of the records: 1

Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů

SYSNO ASEP	0354185
Document Type	P - Patent
R&D Document Type	Patent or other outcome protected by special legislation
Title	Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů
Title	Method of making isolated groups of microscopic silicon crystals
Author(s)	Rezek, Bohuslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Šípek, Emil (FZU-D) Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Kočka, Jan (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Year of issue	2010
Possible third party use of the result	A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Royalty requested	Z - Poskytovatel licence nepožaduje v některých případech licenční poplatek
Patent no. or utility model no. or industrial design no.	301824
Date of the patent acceptance	24.05.2010
Name of the patent owner	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8,CZ
Code of the issuer name	CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague
Current use	B - Patent je využíván na základě uzavřené licenční smlouvy mezi vlastníkem a uživatelem
Language	cze - Czech
Country	CZ - Czech Republic
Keywords	silicon ; nanocrystals ; crystallization
Subject RIV	BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
R&D Projects	LC06040 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS)
	KAN400100701 GA AV ČR - Academy of Sciences of the Czech Republic (AV ČR)
	LC510 GA MŠMT - Ministry of Education, Youth and Sports (MEYS)
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Annotation	Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsob je charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě.
Description in English	Fabrication of isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin film of amorphous silicon deposited on a metal substrates is done by employing field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization process. This process is specific by the procedure that at least one tip-like contact from electrically conductive material is positioned on the amorphous silicon thin film and a flow of electrical current between the contact and metal substrates is induced thereafter. The current amplitude and energy dose to the sample is controlled. In this way one can fabricate silicon crystals smaller than 100 nm, even at room temperature. Growth of the crystals is accompanied by a formation of microscopic pits in the thin film.
Workplace	Institute of Physics
Contact	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Year of Publishing	2013
Electronic address	http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301824.pdf

Number of the records: 1