Number of the records: 1
Magnetic reversal under external field and current-driven domain wall motion in (Ga,Mn)As: influence of extrinsic pinning
- 1.0337275 - FZÚ 2010 RIV DE eng J - Journal Article
Wang, K. Y. - Irvine, A.C. - Wunderlich, Joerg - Edmonds, K. W. - Rushforth, A.W. - Campion, R. P. - Foxon, C. T. - Williams, D.A. - Gallagher, B. L.
Magnetic reversal under external field and current-driven domain wall motion in (Ga,Mn)As: influence of extrinsic pinning.
[Polem indukovaná změna magnetizace díky pohybu doménové stěny v GaMnAs: vliv zachycení na překážce.]
New Journal of Physics. Roč. 10, č. 8 (2008), 085007/1-085007/15. ISSN 1367-2630. E-ISSN 1367-2630
EU Projects: European Commission(XE) 015728 - NANOSPIN
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : ferromagnetic semiconductor * domain wall motion
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 3.440, year: 2008
We demonstrated experimentally the anisotropy, temperature dependence, and pinning dependence of magnetic reversal and current-driven domain wall motion in GaMnAs thin films.
Experimentálně yla prokázána anisotropie, teplotní závislost a závoslost na charakteru překážku pohzbu doménových stěn v tenké vrstvě GaMnAs.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0181305
Number of the records: 1