0105962 - URE-Y 20040122 RIV US eng C - Conference Paper (international conference)
Nohavica, Dušan - Gladkov, Petar - Žďánský, Karel
Preparation and properties of GaInP₂/GaAs heterostructures.
[Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP₂/GaAs.]
ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2004 - (Osvald, J.; Haščík, Š.), s. 57-60. ISBN 0-7803-8535-7.
[Advanced Semiconductor Devices and Microsystems - ASDAM'04 /5./. Smolenice (SK), 17.10.2004-21.10.2004]
R&D Projects: GA MŠMT ME 610
Institutional research plan: CEZ:AV0Z2067918
Keywords : semiconductors * photoluminescence * electric properties
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Growth of the Ga_xIn_1-xP/GaAs (100)heterostructures from the liquid phase was optimised at 800^oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping the ternary layer by GaAs grown from Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects have been suggested. Sharp boundary between ordered and disordered dislocations network in the top Bi:GaAs layer was observed and lattice misfit has been compensated by In addition to produce Bi:Ga_xIn_1-x As /x>0.95/.

Epitaxní růst heterostruktur Ga_xIn_1-xP/GaAs (100) z kapalné fáze byl optimalizován pro přípravu tlustých epitaxních vrstev při 800^oC. Bylo zjištěno, že podmínky růstu vedoucí k přípravě zrcadlově lesklých bezdefektních struktur je možné měnit ve velmi úzkém rozmezí. Pěstování krycí vrstvy GaAs z taveniny v Bi bylo rovněž studováno. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů souvisejících s odchylkou od planarity povvrchu podložky. Byla pozorována ostrá hranice mezi oblastmi s uspořádanou a neuspořádanou sítí dislokací v horní Bi:GaAs vrstvě a strukturní nepřizpůsobení v této vrstvě bylo kompensováno přídavkem In , takže horní vrstva odpovídala složením pevnému roztoku Ga_xIn_1-x As s hodnotou x> 0.95.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0013147