Zobrazení lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů

0022568 - ÚPT 2006 CZ cze K - Conference Paper (Czech conference)
Pokorná, Zuzana
Zobrazení lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů.
[Local density of states mapping using the reflection of very slow electrons.]
PDS 2004 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronové optiky. Brno: ÚPT AV ČR, 2005, s. 55-56. ISBN 80-239-4561-0.
[PDS 2004. Brno (CZ), 15.03.2005]
R&D Projects: GA ČR(CZ) GA202/04/0281
Keywords : local density of states * very slow electrons * dopant distribution
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Cílem práce je provedení série experimentů v ultravysokovakuovém elektronovém mikroskopu, demonstrujících nepřímou úměrnost mezi odrazivostí velmi pomalých elektronů a lokální hustotou elektronových stavů navázaných na dopadající vlnu, a kvantitativní popis zobrazení dopované oblasti povrchové vrstvy polovodiče.

The aim of the work is performing a series of experiments in an ultra high vacuum electron microscope, demonstrating the inverse proportionality between the reflectance of very slow electrons and the local density of electron states bound to the incident wave. The work also aims to describe quantitatively the imaging of a doped region in the semiconductor surface layer.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0111296