Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku

0427287 - FZÚ 2015 CZ cze A - Abstract
Ledinský, Martin - Ganzerová, Kristína - Fejfar, Antonín - Kočka, Jan
Měření záchytu světla pomocí Ramanovy spektroskopie v tenkých vrstvách křemíku.
Sborník 8. české fotovoltaické konference. Rožnov pod Radhoštěm: Czech RE Agency, o.p.s, 2013.
[Česká fotovoltaická konference /8./. 14.05.2013-15.05.2013, Brno]
R&D Projects: GA MPO FR-TI2/736; GA ČR GA13-25747S; GA ČR GA13-12386S; GA MŠMT(CZ) LM2011026
Grant - others:AVČR(CZ) M100101216; AVČR(CZ) M100101217
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : Raman * microcrystalline silicon, * atomic force microscopy
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

Intenzita Ramanova pásu je přímo úměrná interakční dráze fotonu. Tedy intenzita pásu se zvýší, je-li dráha fotonu ve vrstvě prodloužena. Tento efekt lze pozorovat pouze pro fotony z blízké infračervené oblasti, proto jsme pro buzení Ramanova spektra použili laser o vlnové délce 785 nm. Zásadní výhodou je i fakt, že rozptýlený foton v sobě nese informaci, v kterém materiálu interakce proběhla. Můžeme proto selektivně měřit dráhu fotonu v amorfní/ mikrokrystalické části článku.

The absolute intensity of Raman spectra excited by 785 nm laser is strongly affected by scattering in the rough substrate surface. This effect is caused by rough substrate, where photons are scattered under wide angles, then reflected in layer, resulting in extended path in absorbing material, see Figure 1. Mean photon path length in sample can be even several times increased by light trapping in the layer. As the probability of Raman interaction is directly proportional to the mean photon paths in the layer, this path extension is directly proportional to Raman intensity. Therefore, Raman spectroscopy measured at 785 nm excitation wavelength may be used to determine light trapping in µc-Si layer.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0232878