InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band

0337368 - FZÚ 2012 RIV CH eng J - Journal Article
Hazdra, P. - Oswald, Jiří - Komarnitskyy, V. - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Vyskočil, Jan - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band.
[Struktura s InAs/GaAs kvantovými tečkami emitující na 1.55 μm.]
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Roč. 6, č. 1 (2009), 012007/1-012007/4. ISSN 1757-8981
R&D Projects: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/09/0676
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : quantum dots * InAs * GaAs * photoluminescence
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

We investigated different capping layers covering InAs quantum dot structures grown on GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy in order to receive strong photoluminescence at 1.55 μm. Analysis of photoluminescence and microscopy data supported by calculation of quantum dot electron states shows that this is caused both by the change of the electronic-barrier structure and by the increase of the height of the overgrown quantum dots.

Studovali jsme vliv různých krycích vrstev na luminiscenci InAs kvantových teček připravených na GaAs substrátu s cílem dosáhnout luminiscence na vlnové délce 1.55 μm. Analýza luminiscenčních a mikroskopických dat byla podpořena výpočtem elektronové struktury kvantových teček a ukazuje se, že změna elektronové struktury je způsobene změnou bariéry a velikostí kvantových teček.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0181384