Number of the records: 1
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
- 1.0336403 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Journal Article
Novák, Vít - Olejník, Kamil - Cukr, Miroslav
Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs.
[Zahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E001
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : GaMnAs * MBE * diluted magnetic semiconductors
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.534, year: 2009
Dramatic increase of the substrate temperature during the epitaxial growth of GaMnAs has been observed and explained in terms of radiative heating via free carrier absorption.
Dramatický nárust substrátové teploty pozorovaný behem epitaxního rustu GaMnAs byl vysvetlen na základe radiacní výmeny tepla, absorbovaného volnými nosici náboje.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0180643
Number of the records: 1