Anisotropic magnetoresistance of spin-orbit coupledcarriers scattered from polarized magnetic impurities

0335873 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Journal Article
Trushin, M. - Výborný, Karel - Moraczewski, P. - Kovalev, A.A. - Schliemann, J. - Jungwirth, Tomáš
Anisotropic magnetoresistance of spin-orbit coupledcarriers scattered from polarized magnetic impurities.
[Anizotropní magnetorezistence spin-orbitálně interagujících nosičů náboje při rozptylu na polarizovaných magnetických nečistotách.]
Physical Review. B. Roč. 80, č. 13 (2009), 134405/1-134405/14. ISSN 1098-0121
R&D Projects: GA AV ČR KJB100100802; GA AV ČR KAN400100652; GA ČR GEFON/06/E002
EU Projects: European Commission(XE) 215368 - SemiSpinNet; European Commission(XE) 214499 - NAMASTE
Grant - others:AV ČR(CZ) AP0801
Program: Akademická prémie - Praemium Academiae
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : Boltzmann equation * conduction bands * enhanced magnetoresistance * Fermi surface * ferromagnetic materials * gallium compounds * III-V semiconductors
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 3.475, year: 2009
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.80.134405

We theoretically study one particular realization of the AMR (anisotropic magnetoresistance) in which spin-orbit coupling enters via specific spin-textures on the carrier Fermi surfaces and ferromagnetism via scattering of carriers from polarized magnetic impurities.

Teoreticky studujeme AMR (anizotropní magnetorezistenci) v systémech, kde se spin-orbitální interakce projevuje charakteristickými spinovými texturami na Fermiho plochách a feromagnetizmus vstupuje do hry při rozptylu nosičů náboje na polarizovaných magnetických nečistotách.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0180226