Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover

0335755 - FZÚ 2010 RIV NL eng J - Journal Article
Švec, Martin - Dudr, Viktor - Vondráček, Martin - Jelínek, Pavel - Mutombo, Pingo - Cháb, Vladimír - Šutara, F. - Matolín, V. - Prince, K. C.
Intra-atomic charge re-organization at the Pb Si interface: bonding mechanism at low cover.
[Intra-atomární reorganizace náboje na Pb-Si rozhraní: vazebný mechanismus při nízkém pokrytí.]
Surface Science. Roč. 603, č. 18 (2009), s. 2861-2869. ISSN 0039-6028. E-ISSN 1879-2758
R&D Projects: GA AV ČR IAA1010413; GA AV ČR IAA100100616
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : density functional calculations * green´s functional methods * synchrotron radiation photoelectron spectroscopy x-ray scattering * lead * silicon
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.798, year: 2009

We performed both experimental and theoretical study of dynamical fluctuation of Pb adatoms between up and down positions which is connected with the charge redistribution in the basic triangular bipyramid formed by an adsorbed Pb atom and its four closest Si neighbors.

Provedli jsme jak experimentální tak teoretickou studii dynamické fluktuace Pb adatomu mezi dolní a horní polohou, která je spojena s přeuspořádáním náboje v rámci základní bi-pyramidální trojúhelníkové struktury tvořené Pb adatomem a 4 sousedními Si atomy.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0180134