Theoretical modeling of influence of the structural disorder on the charge carrier mobility in triphenylene stacks

0335443 - ÚMCH 2010 RIV NL eng J - Journal Article
Mikolajczyk, M. - Toman, Petr - Bartkowiak, W.
Theoretical modeling of influence of the structural disorder on the charge carrier mobility in triphenylene stacks.
[Teoretické modelování vlivu strukturní neuspořádanosti na pohyblivost nosičů náboje ve sloupcích trifenylenu.]
Chemical Physics Letters. Roč. 485, 1-3 (2010), s. 253-257. ISSN 0009-2614. E-ISSN 1873-4448
R&D Projects: GA MŠMT MEB050815; GA AV ČR IAA401770601
Institutional research plan: CEZ:AV0Z40500505
Keywords : triphenylene * charge carrier mobility * tight-binding approximation
Subject RIV: CD - Macromolecular Chemistry
Impact factor: 2.282, year: 2010

The tight-binding Hamiltonian is used to describe the charge carrier transport in a stack of triphenylene molecules. The influence of different levels of structural disorder on the on-stack charge carrier mobility is discussed. Structural disorder simulation considers three geometrical parameters: the distance between molecular planes, the twist angle around molecule symmetry axis, and the lateral slide in the direction perpendicular to the stack axis. The calculated values of the charge carrier mobility are compared with experimental data.

Transport náboje podél sloupců trifenylenu je popsán kvantově mechanicky pomocí těsnovazebného Hamiltoniánu. Řešením Schrödingerovy rovnice je určena pohyblivost nosičů náboje v závislosti na velikosti strukturní neuspořádanosti molekul ve sloupcích. Prezentovaný model uvažuje tři typy geometrických parametrů: vzdálenost mezi molekulárními rovinami, torzní úhly kolem molekulární osy symetrie a příčný posuv molekul ve směru kolmém na osu sloupce. Spočtené hodnoty pohyblivosti nosičů náboje jsou srovnatelné s experimentálními daty.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0005639