Problems with synthesis of chalcopyrite CuIn.sub.1-x./sub. B.sub.x./sub.Se.sub.2./sub..

0334334 - FZÚ 2010 RIV CH eng J - Journal Article
Olejníček, Jiří - Darveau, S.A. - Exstrom, C.L. - Soukup, R. J. - Ianno, N.J. - Kamler, C.A. - Huguenin-Love, J.L.
Problems with synthesis of chalcopyrite CuIn_1-x B_xSe₂.
[Problémy při syntéze chalkopyritu CuIn_1-x B_xSe₂.]
Materials Science Forum. Roč. 609, - (2009), s. 33-36. ISSN 0255-5476
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100522
Keywords : CuIn_1-x B_xSe₂ * CIBS * selenization * solar cells
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
http://www.scientific.net/MSF.609.33/

Thin films of CuIn1-xBxSe2 (CIBS) as absorption layer in single-junction solar cells can potentially grant a higher band gap in comparison with other studied chalcopyrite materials like CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) and CuIn1-xAlxSe2 (CIAS). The higher band gap near optimum value ~ 1.4 eV can help to achieve higher efficiency (today 19.5% for CuIn0.74Ga0.26Se2.). In this paper are described first results of experiments with effort to produce CIBS films by selenization of CuInB precursor alloy in Se vapors. Resulting material was analyzed by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, and Auger electron spectroscopy. Measurements show that formation of CIBS layer is complicated by forming of pure CuInSe2 layer with unwanted Cu2-xSe phases and by accumulation boron near to the substrate.

Tenké vrstvy CuIn1-xBxSe2 (CIBS) jako absorpční vrstvy v jednopřechodových solárních článcích mohou generovat vyšší bandgap ve srovnání s ostatními studovanými chalkopyrity jako CuIn1-xGaxSe2 (CIGS) a CuIn1-xAlxSe2 (CIAS). Vyšší bandgap, který se více blíží optimální hodnotě 1.4 eV může pomoci dosáhnout vyšší účinnosti než je dnes 19.5% pro CuIn0.74Ga0.26Se2. V tomto článku jsou prezentovány první výsledky experimentů při nichž byly selenizovány metalické prekurzory CuInB v selenové atmosféře. Výsledný materiál byl analyzován pomocí Ramanovské spektroskopie, XRD a AES. Výsledky ukazují, že formování vrstvy CIBS je komplikováno vytvořením vrstvy CuInSe2 s nežádoucí fází Cu2-xSe a akumulací boru v blízkosti substrátu.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0179098