Hole and electron traps in the YAlO.sub.3./sub. single crystal scintillator

0331673 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Journal Article
Laguta, Valentyn - Nikl, Martin - Vedda, A. - Mihóková, Eva - Rosa, Jan - Blazek, K.
Hole and electron traps in the YAlO₃ single crystal scintillator.
[Díra elektronové pasti v monokrystalickém YAlO₃ scintilátoru.]
Physical Review. B. Roč. 80, č. 4 (2009), 045114/1-045114/10. ISSN 1098-0121
R&D Projects: GA AV ČR IAA100100810
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : EPR * point defect * YAlO₃ * scintillator * radiation defects
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 3.475, year: 2009

The processes of hole and electron localization in YAlO₃ single crystals were investigated by electron spin resonance. It was found that holes created by UV or x-ray irradiation are trapped at regular oxygen ions forming two types of O- hole centers. Electron type trapping sites are assigned to Y antisite ions. The yttrium antisite ions in the lattice were directly identified by 89Y nuclear magnetic resonance.

Procesy lokalizace elektronů a děr v YAlO₃ monokrystalech jsou studovány metodou elektronové paramagnetické resonance. Bylo zjištěno, že díry vytvořené při UV či rtg. ozáření jsou zachyceny na kyslíkových aniontech kde se formují dva typy O- děrových center. Elektronové pasti zahrnují Y "antisite" ionty, které byly přímo prokázány pomocí jaderné magnetické resonance.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0177127