Number of the records: 1
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures
- 1.0328675 - FZÚ 2010 RIV US eng J - Journal Article
Kindl, Dobroslav - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Výborný, Zdeněk - Leys, M.R. - Boeykens, S.
Deep defects in GaN/AlGaN/SiC hererostructures.
[Hluboké defekty v heterostrukturách GaN/AlGaN/SiC.]
Journal of Applied Physics. Roč. 105, č. 9 (2009), 093706/1-093706/8. ISSN 0021-8979. E-ISSN 1089-7550
R&D Projects: GA ČR GA202/07/0525
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : nitrides * silicon carbide * deep levels * DLTS
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 2.072, year: 2009
Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements were carried out on GaN/AlGaN/SiC heterostructures prepared by MOVPE. The deep level parameters were correlated with the SiC substrate orientation and the AlGaN layer composition.
Transientní spektroskopie hlubokých hladin (DLTS) byla použita ke studiu heterostruktur GaN/AlGaN/SiC připravených epitaxním růstem z organokovů. Byl zkoumán vliv orientace substrátu SiC a složení vrstvy AlGaN na parametry hlubokých hladin.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0174934
Number of the records: 1