Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP

0323030 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Journal Article
Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
[Studium Šottkyho diod na InP dopovaném Mn.]
Journal of Materials Science-Materials in Electronics. Roč. 19, č. 1 (2008), S333-S337. ISSN 0957-4522. E-ISSN 1573-482X
R&D Projects: GA AV ČR KAN400670651
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10100520
Keywords : Schottky effect * semiconductors * deep levels
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.054, year: 2008

Schottky diodes were studied by temperature dependent current–voltage, capacitance–voltage (C-V) and admitance spectra measurements. Current–voltage characteristics were fitted by considering thermionic emission, serial resistance of bulk InP and nonlinear serial resistance of the back contact of the diode. Schottky barrier height calculated from current–voltage characteristics was lower than the one calculated from C-V characteristics, which was prescribed to a strong density of surface states.

Schottkyho diody byly zkoumány měřením teplotně závislých charakteristik proud-napětí a kapacita-napětí a admitanční spektroskopií. Charakteristiky proud-napětí byly vypočteny s uvážením termiontové emise, seriového odporu objemu InP a nelineárního serivého odporu zadního kontaktu diody. Výška Schottkyho bariery vypočtená z charakteristik proud–napětí byla nižší než výška vypočtená z charakteristik kapacita-napětí, což bylo přičteno velké hustotě povrchových stavů.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0171112