Laser CVD of Nanodisperse Ge-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of SnH4/GeH4 Mixtures

0322970 - ÚCHP 2009 RIV DE eng J - Journal Article
Křenek, Tomáš - Bezdička, Petr - Murafa, Nataliya - Šubrt, Jan - Pola, Josef
Laser CVD of Nanodisperse Ge-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of SnH4/GeH4 Mixtures.
[Laserová chemická deposice nanodisperní Ge-Sn slitiny v dielektrickém průrazu plynné směsi SnH4/GeH4.]
European Journal of Inorganic Chemistry. Roč. 2009, č. 11 (2009), s. 1464-1467. ISSN 1434-1948. E-ISSN 1099-0682
R&D Projects: GA MŠMT LC523
Institutional research plan: CEZ:AV0Z40720504; CEZ:AV0Z40320502
Keywords : germanium * tin * nanostructures
Subject RIV: CH - Nuclear ; Quantum Chemistry
Impact factor: 2.941, year: 2009

TEA CO2 laser-induced dielectric breakdown in equimolar mixture of gaseous stannane and germane in Ar allows chemical vapor deposition of nanostructured Ge/Sn films revealed as nanoregions of crystalline Sn and Sn-rich Ge/Sn alloys surrounded by amorphous Ge/Sn phase.

TEA CO2 laserem indukovaný dielektrický průraz v eqimolární směsi plynného germanu a stananu v Ar dovoluje chemickou deposici nanostrukturovaných filmů obsahujících nanodomény Sn/Ge slitiny obklopené amorfní Ge/Sn fází.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0171073