Atomic force microscopy and atomic force acoustic microscopy characterization of photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous films

0320025 - ÚMCH 2009 RIV NL eng J - Journal Article
Knotek, P. - Tichý, Ladislav
Atomic force microscopy and atomic force acoustic microscopy characterization of photo-induced changes in some Ge-As-S amorphous films.
[Charakterizace fotoindukovaných změn v amorfních filmech Ge-As-S pomocí AFM a AFAM.]
Thin Solid Films. Roč. 517, č. 5 (2009), s. 1837-1840. ISSN 0040-6090. E-ISSN 1879-2731
Institutional research plan: CEZ:AV0Z40500505
Keywords : amorphous materials
Subject RIV: CA - Inorganic Chemistry
Impact factor: 1.727, year: 2009

Amorphous Ge27As13S60, Ge14As27S59 and Ge16As26S58 thin films were prepared by thermal evaporation. Well annealed films were photodarkened by the photons with energy little exceeding the band gap energy. Using Atomic Force Microscopy we observed significant photoexpansion of studied films. Atomic Force Acoustic Microscopy revealed domains like structure of the surface and near surface parts of the samples which one was found to be more disintegrated after illumination.

Amorfní Ge27As13S60, Ge14As27S59 a Ge16As26S58 tenké filmy byly připraveny napařováním. Ztemperované filmy byly ztmaveny fotony s energií mírně přesahující Eg. Pomocí AFM byla pozorována výrazná fotoexpanze studovaných filmů. Pomocí AFAM se získal přehled o doménové struktuře povrchu a pod-povrchových částí vzorků, kde se dokázalo, že osvícením dochází k jejich desintegraci.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0169011