0101821 - FZU-D 20040498 RIV FR eng J - Journal Article
Dózsa, L. - Tóth, A. L. - Horváth, Z. J. - Hubík, Pavel - Krištofik, Jozef - Mareš, Jiří J. - Gombia, E. - Mosca, R. - Franchi, S. - Frigeri, P.
Lateral conductivity in GaAs/InAs quantum dot structures.
[Laterální vodivost ve strukturách GaAs/InAs s kvantovými tečkami.]
European Physical Journal-Applied Physics. Roč. 27, - (2004), s. 93-95. ISSN 1286-0042. E-ISSN 1286-0050
R&D Projects: GA ČR GA202/03/0410
Grant - others:OTKA(HU) T-035272
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1010914
Keywords : quantum dots * quantum wells * III-V semiconductors
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 0.745, year: 2004

Lateral conductivity effects have been jnvestigated in self-organised InAs quantum dot structures grown in a GaAs matrix with different cap layers by current-voltage, capacitance-voltage, DLTS, capacitance and conductance frequency dependence, fast defect transient and electron beam induced conductivity measurements. The capacitance transients are dominated by the local QD-plane transversal conductivity and by the free carrier transport in the cap layer

Jevy laterální vodivosti v samoorganizovaných strukturách s kvantovými tečkami InAs připravenými v matrici GaAs s různými krycími vrstvami byly zkoumány pomocí měření závislostí proudu na napětí, kapacity na napětí, metody DLTS, závislostí kapacity a vodivosti na frekvenci a dále pomocí rychlých poruchových transientů a vodivosti indukované elektronovým svazkem. Kapacitní přechodové jevy jsou ovládány lokální příčnou vodivostí v rovině kvantových teček a transportem volných nosičů v krycí vrstvě
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0009219