Number of the records: 1
Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface
- 1.0100708 - FZU-D 20040431 RIV NL eng J - Journal Article
Kaminski, W. - Jelínek, Pavel - Pérez, R. - Flores, F. - Ortega, J.
Si-substitutional defects on the .alfa.-Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x. sqrt. 3) surface.
[Si-substituční defekt na Sn/Si(111)-(.sqrt. 3 x .sqrt. 3) povrchu.]
Applied Surface Science. Roč. 234, - (2004), s. 286-291. ISSN 0169-4332. E-ISSN 1873-5584
Grant - others:CICYT(ES) MAT-2001-0665
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1010914
Keywords : first principles DFT * local- orbital method * Sn/Si(111) surface
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.497, year: 2004
We use a first-principle DFT local-orbital method and analyze Si-defects on a large Sn/Si(111) surface unit-cell, corresponding to a defect concentration as low as 3.7%
Použili jsme prvoprincipielní DFT metodu lokálních orbitálů a analyzovali jsme Si-poruchy v rámci velkých Sn/Si(111) povrchových základních buněk, odpovídající nízké koncentraci 3.7%
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0000008
Number of the records: 1