0100075 - FZU-D 20040051 RIV NL eng J - Journal Article
Fulem, Michal - Růžička, K. - Růžička, V. - Šimeček, Tomislav - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří
Vapour pressure and heat capacities of metal organic precursors, Y(thd)₃ and Zr(thd)₄
[Tlak nasycených par a měrná teplota organometalických prekurzorů Y(thd)₃ and Zr(thd)₄]
Journal of Crystal Growth. Roč. 264, - (2004), s. 192-200. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA AV ČR KSK1010104
Keywords : static method * vapour pressure * metalorganic chemical vapor deposition * Y and Zr precursors * .alpha.-diketonate complexes
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.707, year: 2004

The vapour pressure of two metal organic precursors, Y(thd)₃ and Zr(thd)₄ used for metal organic chemical vapour deposition of high-temperature superconductor layers, was measured. The experimental data were fitted and represent updated values of the present day high-purity materials providing comparison with the previously published data

Byly změřeny tlaky nasycených par dvou organometalických prekurzorů Y(thd)₃ Zr(thd)₄, používaných při růstu vysokoteplotních supravodičů metodou MOCVD. Experimentální výsledky byly proloženy teoretickou křivkou a představují nejnovější údaje pro materiály s vysokou čistotou ve srovnání s dříve publikovanými údaji
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0007582