Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu

0540512 - FZÚ 2021 RIV CZ cze Z - Pilot plant, v. technol., variety, breed
Hubáček, Tomáš - Hospodková, Alice
Příprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu.
[Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate.]
Internal code: InGaN1 ; 2020
Technical parameters: Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů. Dosvit nejrychlejší složky pod 3 ns.
Economic parameters: Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
R&D Projects: GA TA ČR TH02010580; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : GaN * InGaN * heterostructure * scintillation detection * MOVPE
OECD category: Optics (including laser optics and quantum optics)

Ověřená technologie popisuje podrobný návod přípravy scintilačních InGaN /GaN heterostruktur vhodných pro výrobu rychlých scintilačních stínítek pro detekci elektronů. Soubor dokumentů se skládá reglementu, 26 pracovních instrukcí a protokolu o ověření technologie. Reglement obsahuje specifikaci vstupních materiálů, seznam jednotlivých technologických kroků a jejich stručný popis. Podrobný popis pracovních kroků lze nalézt v jednotlivých pracovních instrukcích. Porovnání změřených a požadovaných vlastností vzorků připravených touto technologií je uveden v protokolu o ověření technologie.

Certified technology describes in detail preparation of InGaN/GaN scintillation heterostructure suitable for production of fast scintillating shield for electron detection. The set of documents consist of regalement, 26 work instructions and report of technology certification. Regalement contains specification of input materials, list of technological and characterization steps and their brief description. Detailed description of each step can be found in particular work instruction. Comparison of required and measured properties of samples prepared according to this technology is shown in Report of technology certification.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0318142