0537418 - ÚFE 2021 RIV cze P - Patent Document
Mrázek, Jan
Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku.
[Colloidal diffusion source of phosphorus for preparing doped silicon.]
2020. Owner: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i. Date of the patent acceptance: 19.10.2020. Patent Number: 308558
R&D Projects: GA MPO(CZ) FV30151
Institutional support: RVO:67985882
Keywords : semiconductor * phosphorus * colloid
OECD category: Electrical and electronic engineering
Result website:
https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308558.pdf

Koloidní difuzní zdroj fosforu pro přípravu dotovaného křemíku zahrnuje způsob přípravy koloidních difuzních zdrojů a jejich využití při přípravě křemíkových polovodičů typu N nebo polovodičového přechodu PN

The colloidal diffusion source of phosphorus for preparing doped silicon includes a method for preparing colloidal diffusion sources and their use in preparing N-type silicon semiconductors or a PN semiconductor junctionnealing
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0315132