Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii

0536583 - ÚPT 2021 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Krátký, Stanislav - Fořt, Tomáš - Matějka, Milan - Materna Mikmeková, Eliška - Radlička, Tomáš - Řiháček, Tomáš - Sháněl, O. - Schneider, M. - Mareček, D.
Fázová destička pro použití v transmisní elektronové mikroskopii.
[Phase plate for transmission electron microscopy.]
Internal code: APL-2020-07 ; 2020
Technical parameters: Křemíkový čip (tloušťka 200 µm) nesoucí tenkou nitridovou membránu (tloušťka ⁓70 nm). Otvor membrány je čtvercového tvaru o rozměru 100×100 µm. Čip je upevněný na platinové clonce o průměru 3 mm. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu (⁓3 nm).
Economic parameters: Funkční vzorek realizovaný při řešení grantu, s předpokladem smluvního využití s vědeckým a ekonomickým přínosem i po jeho ukončení. Kontakt: Ing. Stanislav Krátký, kratky@isibrno.cz
R&D Projects: GA TA ČR(CZ) TN01000008
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : transmission electron microscopy * phase plate * silicon nitride * thin layers * e-beam lithography
OECD category: Electrical and electronic engineering

Fázová destička z nitridu křemíku slouží ke změně fáze procházejících vysokoenergetických elektronů. Nosným substrátem tenké membrány je křemíkový čip připevněný na platinovou clonku, která zároveň odstiňuje nežádoucí elektrony. Celý vzorek je pokoven tenkou vrstvou molybdenu kvůli zajištění vodivosti vzorku.

Silicon nitride phase plate serve as a phase shift element for high energy electrons. Silicon die is a supporting substrate for thin membrane which is glued to platinum aperture. The aperture eliminates unwanted electrons. The whole sample is coated with thin layer of molybdenum to ensure the conductivity of the sample.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0314347