Ovrstvení Si desek tlustou vrstvou rezistu a kontrola vrstvy

0478403 - ÚPT 2018 RIV CZ cze Z - Pilot plant, v. technol., variety, breed
Chlumská, Jana - Matějka, Milan - Kolařík, Vladimír
Ovrstvení Si desek tlustou vrstvou rezistu a kontrola vrstvy.
[Thick layer coating on Si wafers and the control of the layer.]
Internal code: APL-2017-02 ; 2017
Technical parameters: Vrstvy rezistu se nanáší na křemíkové podložky průměru 4-6 palců. Nominální tloušťka vrstev je 10 mikronů. Technologie vyžaduje čistou laboratoř s třídou čistoty 1000 nebo lepší.
Economic parameters: Ověřená technologie realizovaná při řešení grantů, využívaná příjemcem při vývoji planárních mikrostruktur v rámci projektu FV10618 a v rámci smluvního výzkumu. Kontakt: Ing. Miroslav Horáček, Ph.D., mih@isibrno.cz
R&D Projects: GA MŠMT(CZ) LO1212; GA MŠMT ED0017/01/01
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : e-beam lithography * PMMA rezist * thick layers * spin coating
OECD category: Materials engineering

Technologie pro ovrstvení křemíkových desek plátku s tlustou vrstvou rezistu zahrnuje pět technologických operací.

Technology for the coating of silicon wafer with a thick layer of resist inscludes five technological operations.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0274516