Kombinace elektronové litografie s gaussovským svazkem a s proměnným tvarovaným svazkem

0452395 - ÚPT 2016 RIV CZ cze J - Journal Article
Krátký, Stanislav - Urbánek, Michal - Chlumská, Jana - Matějka, Milan - Meluzín, Petr - Kolařík, Vladimír - Horáček, Miroslav
Kombinace elektronové litografie s gaussovským svazkem a s proměnným tvarovaným svazkem.
[Combination of electron lithography with Gaussian and shaped beams.]
Jemná mechanika a optika. Roč. 60, č. 1 (2015), s. 10-13. ISSN 0447-6441
R&D Projects: GA MŠMT(CZ) LO1212
Institutional support: RVO:68081731
Keywords : e-beam writer * Gausssian beam * variable shaped beam
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Jedním z hlavních témat vývoje v oblasti elektronové litografie je zvýšení exopziční rychlosti, tedy zvýšení vkonnosti, resp. propustnosti. Existují dva základní typy elektronových litografů, elektronové litogravy pracující s obdelníkovým svazkem proměnné velikosti a elektronové litografy pracující s gaussovským svazkem kruhového průřezu. Expoziční doba obou typů litografických systémů se v podstatě skládá z doby otevření svazku, z doby stabilizace vychylovacího systému a z doby projedzu stolu s exponovaným substrátem. Měření expoziční doby, resp. doby expozice, bylo prováděno na dvou tyepch exponovaných struktur: binárních mřížkách (s poměrem mezi exponovanou a neexponovanou oblastí 1:1) a víceúrovňových strukturách (počítačem generovaných hologramech). Expoziční data byla připravena tak, aby bylo možné zpracovat exponované substráty z obou typl litografů stejným technologickým postupem (PMMA resist, vyvoávací doba, bezalkoholová vývojka). Na základě výsledků experimentů můžeme říci, že litografický systém s bodélníkovým svazkem proměnné velikosti je výhodnější použí pro expozice víceúrovňových struktur, zatímco systém s gaussovkým svazkem je vhodnější pro struktury typu mřížek. Bylo prokázáno, že zkombinování obou typů litografických systémů na jedné expozici může vést ke zvýšení expoziční rychlosti, a tedy propustnosti.

One of the main goals in e-beam lithography is to increase exposure speed to achieve higher throughput. There are basically two types of electron-beam writers, shaped beam lithography systems and Gaussian beam lithography systems. The exposure time of both e- -beam writers consist in essence of beam-on time, deflection system stabilization time and stage movement time. Exposure time testing was carried out on two types of patterns. There were completely filled in areas, binary period gratings (ratio 1:1 between exposed and unexposed areas), and multileveled structures (computer generated holograms). Exposures data was prepared according to standard technology (PMMA resist, exposure dose, non-alcoholic based developer) for both systems. The result of experiment shows that variable shaped beam system has advantage in multileveled structures while the Gaussian beam system is more suitable for gratings type of pattern. It was proved that combination of both systems has its use to increase exposures throughput.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0253409