0354332 - FZÚ 2013 RIV CZ cze P - Patent Document
Rezek, Bohuslav - Vaněček, Milan - Kromka, Alexander - Potocký, Štěpán - Potměšil, Jiří
Způsob přípravy zárodečné vrstvy pro růst diamantu.
[Method of fabricating nucleation layer for diamond growth.]
Praha: Úřad průmyslového vlastnictví, 2010. Owner: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8, CZ. Date of the patent acceptance: 24.05.2010. Patent Number: 301825
R&D Projects: GA MŠMT(CZ) LC06040; GA AV ČR KAN400100701; GA MŠMT LC510; GA AV ČR KAN400100652
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : nucleation * growth * diamond films * composites
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Result website:
http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/301/301825.pdf

Způsob přípravy zárodečné vrstvy pro růst diamantu z chemických par plynu spočívá v tom, že se do roztoku polárního polymeru přidá diamantový prášek, vzniklá suspenze se homogenizuje a výsledný polární polymerní kompozit se nanese na podložku, s níž se suší při teplotě odpovídající teplotě vytvrzení zvoleného polymeru a polymerní kompozit se odleptá. Tím je podložka připravena na růst diamantu z chemických par plynu a jeho ultratenkých vrstev. Polymerní kompozit může být nanesen v jedné nebo ve více vrstvách. Polymerní kompozit může být nanesen na podložku také selektivně pomocí základních litografických procesů, čímž se při následném růstu diamantu dosáhne jeho geometricky předem definovaná pozice na podložce s možností tvorby i víceúrovňových diamantových struktur v jednom technologickém procesu.

Way of fabricating nucleation layer for diamond growth by chemical vapor deposition is specific by the procedure that a diamond powder is mixed with polymer solution, the mixture is homogenized and the resulting polymer composite is coated on a substrate, annealed at an appropriate temperature, and finally etched. The composite can be coated selectively by lithographic techniques which enables direct diamond growth at pre-defined locations on arbitrary substrates. The composite can be also coated in one or more layers which enables growth of diamond three-dimensional multi-layer structures in one process.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0193360