Structure of Coated Ge-nanowires

0326715 - ÚCHP 2010 US eng C - Conference Paper (international conference)
Klementová, Mariana - Dřínek, Vladislav - Fajgar, Radek - Šubrt, Jan
Structure of Coated Ge-nanowires.
[Sruktura obalených Ge nanodrárů.]
Book of Abstracts. -: -, 2008 - (Baxter, D.; Bay, B.). ISBN N.
[Microscopy and Microanalysis 2008. Albuquerque, New Mexico (US), 03.08.2008-07.08.2008]
R&D Projects: GA AV ČR IAA400720616
Institutional research plan: CEZ:AV0Z40720504; CEZ:AV0Z40320502
Keywords : optical properties * catalytics properties * new technologies
Subject RIV: CF - Physical ; Theoretical Chemistry

Shelled germanium nanowires up to 100 nm in diameter and several mm in length were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition (LPCVD) of tris(trimethylsilyl)germane (SiMe3)3GeH. Vapors of the precursor were deposited on tantalum substrates in an oven at 365°C. Subsequently, the products were annealed at 700°C in vacuum. The deposits contain nanowires of variable dimensions; their width ranges in tens of nanometers and the length is up to several microns. Nanowires have a core-rim structure with a variable diameter of the core (10 to 30 nm) and thickness of the rim (10 to 50 nm). The core is composed of crystalline Ge, whereas the rim is mostly amorphous SiC. During the heat treatment at 900°C, Ge is removed and SiC nanotubes are formed.

Obalené Ge nanodráty o průměru do 100 nm byly připraveny z tris(trimethylsilyl)germanu (SiMe3)3GeH pomocí nízkotlaké chemické depozice z plynné fáze LPCVD na Ta substrátech v peci při 365°C. Poté následovalo temperování při 700°C. Deposity obsahují nanodráty různých rozměrů; šířka se pohybuje v desítkách nanometrů a délka je několik mikronů. Nanodráty mají strukturu jádro-plášť s průměrem jádra 10 až 30 nm a šířkou pláště 10 až 50 nm. Jádro je tvořeno krystalickým Ge, zatímco plášť je většinou amorfní SiC. Během ohřevu na 900°C je Ge vypařeno a jsou vytvořeny SiC nanotrubky.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0173730