Number of the records: 1
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots
- 1.0318588 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Journal Article
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots.
[Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : atomic force microscopy * nanostructures * low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.757, year: 2008
We have studied the effect of GaAs capping layer growth rate on the quantum dot (QD) properties. It was found that higher growth rate of capping layer decreases the dissolution of In atoms from QDs.
Studovali jsme efekt rychlosti růstu GaAs krycí vrstvy na vlastnosti kvantových teček (QD). Vyšší rychlost růstu snižuje rozpouštění In atomů z QD .
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0167961
Number of the records: 1