Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2

0316651 - ÚPT 2009 CZ cze A - Abstract
Hégr, O. - Boušek, J. - Fořt, Tomáš - Sobota, Jaroslav - Varuňková, V. - Bařinka, R. - Poruba, A.
Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2.
[Sputtered coatings of SiNx:H on H2 plasma etched mono-Si substrate.]
Sborník abstraktů - 3. Česká fotovoltaická konference. Brno: Czech RE Agency, 2008. s. 53. ISBN N.
[Česká fotovoltaická konference /3./. 03.11.2008-05.11.2008, Brno]
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20650511
Keywords : magnetron sputtering * passivation layer * SiNx:H * MW-PCD * FTIR
Subject RIV: BL - Plasma and Gas Discharge Physics

Příspěvek se zabývá čištěním, aktivací a schopnosti hydrogenace povrchu monokrystalického křemíku za pomoci plazmatického leptání v H2. Za použití vstupních plynů Ar/H2 je možné na křemíkovém povrchu iniciovat chemické reakce působící podobně jako je tomu při použití standardního chemického leptacího roztoku (HF). Proces je kombinován s depozicí vrstev SiNx:H nanášených na leptaný povrch leptáním v plasmě. Oba kroky jsou prováděny v jednom vakuovém cyklu ve směsi plynů Ar/H2 a Ar/N2/H2. Vzniklé struktury jsou zkoumány z hlediska vazebních poměrů za pomoci infračervené spektroskopie (FTIR). Schopnost vrstev pasivovat p a n-typový křemíkový povrch v závislosti na změně procesních parametrů je ověřována měřením doby života nosičů náboje (MW-PCD).

The paper deals with cleaning, activation and ability of hydrogenation of monocrystalline silicon surface with the help of plasma etching in H2. Using the input gases Ar/H2 it is possible to initiate silicon surface chemical reactions acting similar to a standard chemical etching (HF). The process is combined with deposition of SiNx:H layers on etched surface by plasma etching. Both steps are carried out in one vacuum cycle in a mixture of Ar/H2 and Ar/N2/H2. The resulting structures are examined with the help of infrared spectroscopy (FTIR). Ability of the layers to passivate p and n-type silicon surfaces, depending on the change of the process parameters is checked by measuring carriers lifetime (MW-PCD).
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0166507