Výsledky studie polovodičů a polovodičových struktur pomocí BEEM/BEES, STM a AFM

0303661 - URE-Y 20000068 CZ cze A - Abstract
Vaniš, Jan - Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Karamazov, S. - Lošťák, P. - Cukr, Miroslav - Zich, P. - Horák, Jaromír - Czajka, R. - Chow, D.H. - McGill, T. C.
Výsledky studie polovodičů a polovodičových struktur pomocí BEEM/BEES, STM a AFM.
[Study of semiconductors a semiconductor heterostructures by BEEM/BEES, STM and AFM.]
Praha: Jednota československých matematiků a fyziků, 2000. ISBN 80-7015-720-8. Sborník příspěvků ze semináře OS Polovodiče FVS JČMF. - (Hulicius, E.; Humlíček, J.; Velický, B.). s. 33
[Liblice 2000. 31.01.2000-02.02.2000, Liblice]
R&D Projects: GA ČR GA102/97/0427
Institutional research plan: CEZ:AV0Z2067918
Keywords : nanostructured materials * semiconductor materials * thermoelectric devices * Schottky effect
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Pomocí BEES byly studovány tunelové heterostruktury s dvojitou bariérou na bázi InAs/AlSb a n-GaAs štípnutý v rovině (110). Metodou AFM a STM byla studována modifikace v oblasti nanometrů na termoelektrických materiálech Bi₂Te₃ a Sb₂Te₃.

Using BEES were studied double barrier tunneling heterostructure of InAs/AlSb and (110) cleaved n-GaAs. Using AFM and STM methods were studied nanometer scale modification on thermoelectric materials Bi₂Te₃ a Sb₂Te₃.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0113849