Number of the records: 1
Raman Spectra of Erbium Doped Gallium Nitride Layers Fabricated by Magnetron Sputtering
- 1.0105584 - UJF-V 20043127 RIV CZ eng G - Proceedings (international conference)
Prajzler, V. - Schröfel, J. - Hüttel, I. - Špirková, J. - Machovič, V. - Hamáček, J. - Peřina, Vratislav
Raman Spectra of Erbium Doped Gallium Nitride Layers Fabricated by Magnetron Sputtering.
[Ramanovská spektra galium nitridových vrstev dopovaných erbiem a připravených magnetronovým naprašováním.]
Praha: Czech Technical University, 2004. 6 s. ISBN 80-239-2835-X.
[Proceedings of the European Microelectronics and Packaging Symposium with Table Top Exibition /3./. Praha (CZ), 16.06.2003-18.06.2003]
R&D Projects: GA ČR GA104/03/0385
Institutional research plan: CEZ:AV0Z1048901
Keywords : Raman spectra * erbium * GaN
Subject RIV: BG - Nuclear, Atomic and Molecular Physics, Colliders
The paper presents the influence of erbium ions content in gallium nitride layers on RAMAN spectra.
Práce prezentuje vliv přítomnosti erbiových iontů v galium nitridových vrstvách na Ramanovská spektra.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0012821
Number of the records: 1