Number of the records: 1
Modernizovaný elektronový litograf pro optické difraktivní struktury
- 1.0094701 - ÚPT 2008 RIV CZ cze Z - Pilot plant, v. technol., variety, breed
Horáček, Miroslav - Matějka, František - Kolařík, Vladimír
Modernizovaný elektronový litograf pro optické difraktivní struktury.
[Electron-beam writing system for diffractive optical elements.]
Internal code: 65701 ; 2006
Technical parameters: Urychlovací napětí elektronové trysky 15 kV.
Economic parameters: Elektronový litograf BS601M byl nainstalován ve firmě Optaglio v červenci roku 2006 kde nahradil obdobné zastaralé zařízení s horšími parametry.
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20650511
Keywords : electron beam writing system * diffractive optical element
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering
Elektronový litograf BS601M je elektronově-optické zařízení vyvinuté a optimalizované pro výrobu difraktivních optických struktur. Na elektronovém litografu se přímou ezpozicí elektronovým svazkem do rezistu naneseného na Si-podložce exponují mikrostruktury, které se používají jako mastery v následné technologii výroby holografických struktur. Elektronový litograf pracuje s konstantním urychlovacím napětím 15 kV, pravoúhlým tvarovatelným svazek od (50 H 50) nm do (3150 H 3150) nm s krokem 50 nm, s vychylovacím polem (3 H 3) mm s krokem 50 nm a s maximální exponovatelná oblast je (100 H 80) mm. Rychlost typické expozice (600 mil. razítek H 30 H 30 mm) je 2.5 hodiny.
Electron beam writing system BS601M is an electron-optical device designed and optimised for exposure of diffraction optical elements. The electron beam writing system produces microstructures by direct exposure of electron resist on Si substrate. These microstructures are used as a masters in a technology of holographic structurures production. Electron beam writing system uses fixed energy of 15 keV, a shaped rectangular variable-size electron beam ranging from (50 H 50) nm do (3150 H 3150) nm with step 50 nm, a scan field (3 H 3) mm with deflection step 50 nm and maximum area of exposure (100 H 80) mm. Typical exposure takes 2.5 hours (600 mil. stamps H 30 mm H 30 mm ).
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0154449
Number of the records: 1