Úzkospektrální výkonový laser na bázi pole laserových diod

0094694 - ÚPT 2008 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
Buchta, Zdeněk - Lazar, Josef
Úzkospektrální výkonový laser na bázi pole laserových diod.
[Narrow-band high-power laser based on laser diode array.]
Internal code: 1411 ; 2007
Technical parameters: Vlnová dělka 795nm, výstupní optický výkon menší než 13W
Economic parameters: Nelze předběžně vyčíslit.
R&D Projects: GA ČR GA102/04/2109; GA AV ČR IAA1065303
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20650511
Keywords : semiconductor laser * extended cavity laser
Subject RIV: BH - Optics, Masers, Lasers

Kompaktní výkonový polovodičový laser s možností ladění a stabilizace vlnové délky, jehož základem je výkonové pole laserových diod. Emisní spektrum pole je zúženo pomocí Ti:Sa laseru metodou injection locking. Navržen pro použití jako zdroj laserového záření v systému pro produkci polarizovaného xenonu.

Compact high-power semiconductor tunable laser based on high-power laser diode array. The array emission spectrum is reduced with Ti:Sa laser by injection locking technique. Designed to operate as a laser source in a system for hyperpolarized xenon production.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0154442