Number of the records: 1  

Comparison of dispersion models in the optical characterization of As-S chalcogenide thin films

  1. 1.
    0092619 - ÚPT 2008 RIV NL eng J - Journal Article
    Ohlídal, I. - Franta, D. - Šiler, Martin - Vižďa, F. - Frumar, M. - Jedelský, J. - Omasta, J.
    Comparison of dispersion models in the optical characterization of As-S chalcogenide thin films.
    [Srovnání disperzních modelů při optické charakterizaci As-S chalkogenidových tenkých vrstev.]
    Journal of Non-Crystalline Solids. Roč. 352, 52-54 (2006), s. 5633-5641. ISSN 0022-3093. E-ISSN 1873-4812
    Institutional research plan: CEZ:AV0Z20650511
    Keywords : Ellipsometry * Chalcogenides
    Subject RIV: CA - Inorganic Chemistry
    Impact factor: 1.362, year: 2006

    In this paper, the optical analysis of the As-S thin films prepared under different conditions is performed using three dispersion models for amorphous materials typically employed in practice. The Tauc-Lorentz (TL) model, Urbach-Cody-Lorentz (UCL) model and our model based on the parameterization of the density of electronic states (PDOS model) are namely used to determine the optical parameters of these films. Within the structural model of the As-S films, the existence of the optical constants profiles and overlayers on to the upper boundaries of these films are included. Dispersion and structural models are employed within the analysis based on a combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and transmission spectrophotometry in conjunction with multi-sample modification.

    V tomto článku je provedena optická analýza As-S tenkých vrstev připravených za rozdílných podmínek. Používáme tři disperzní modely popisující závislost optických konstant na vlnové délce. Jmenovitě použijeme Tauc-Lorentzův (TL) model, Urbach-Cody-Lorentzův (UCL) model a náš model založený na parametrizaci hustoty elektronových stavů (PDOS model) k určení optických konstant těchto vrstev. Dále do strukturního model As-S vrstev zahrnujeme existenci profilu optických konstant a existenci tenké krycí vrstvy na horním rozhraní. Všechny modely jsou použity k analýze dat získaných metodou spektroskopické elipsometrie s proměnným úhlem a transmisní spektrofotometrie ve více vzorkové modifikaci.
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0152890

     
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.