Number of the records: 1
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP
- 1.0088293 - ÚFE 2008 DE eng A - Abstract
Žďánský, Karel - Kozak, Halina - Sopko, B. - Pekárek, Ladislav
Study of Schottky diodes made on Mn doped p-type InP.
[Výzkum Schottkyho diod připravených na Mn dopovaném InP typu p.]
DRIP-XII 2007:12th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. Programme & Abstracts. Berlin: [Forschungsverbund Berlin], 2007. s. 133--.
[DRIP /12./. 09.09.2007-13.09.2007, Berlin]
R&D Projects: GA AV ČR KAN400670651
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20670512
Keywords : Schottky effect * semiconductors * deep levels
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering
Schottky diodes were studied by temperature dependent current–voltage, capacitance–voltage (C-V) and admitance spectra measurements. Current–voltage characteristics were fitted by considering thermionic emission, serial resistance of bulk InP and nonlinear serial resistance of the back contact of the diode. Schottky barrier height calculated from current–voltage characteristics was lower than the one calculated from C-V characteristics, which was prescribed to a strong density of surface states
Schottkyho diody byly zkoumány měřením teplotně závislých charakteristik proud-napětí a kapacita-napětí a admitanční spektroskopií. Charakteristiky proud–napětí byly vypočteny s uvážením termiontové emise, seriového odporu objemu InP a nelineárního serivého odporu zadního kontaktu diody. Výška Schottkyho bariery vypočtená z charakteristik proud–napětí byla nižší než výška vypočtená z charakteristik kapacita-napětí, což bylo přičteno velké hustotě povrchových stavů.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0149870
Number of the records: 1