Number of the records: 1
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs
- 1.0085159 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Journal Article
Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs.
[Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 582-858. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : nanostructures * metalorganic vapor phase epitaxy * arsenides * semiconducting III-V materials
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.950, year: 2007
We studied photoluminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs strain reducing layer (SRL). These structures show strong red shift of photoluminescence maxima with increased In content in SRL
Studovali jsme fotoluminiscenci InAs/GaAs kvantových teček zakrytých InGaAs vrstvou redukující pnutí (SRL). Tyto struktury vykazují silný červený posun maxima fotoluminiscence se vzrůstajícím obsahem In ve SRL
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0147727
Number of the records: 1