Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy

0084538 - ÚFE 2008 RIV US eng J - Journal Article
Walachová, Jarmila - Zelinka, Jiří - Malina, Václav - Vaniš, Jan - Šroubek, Filip - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard
Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy.
[Studium InAs kvantových teček v AlGaAs/GaAs heterostruktuře pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie.]
Applied Physics Letters. Roč. 91, č. 4 (2007), 042110.1-042110.3. ISSN 0003-6951. E-ISSN 1077-3118
R&D Projects: GA ČR GA202/05/0242
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20670512; CEZ:AV0Z10750506; CEZ:AV0Z10100521
Keywords : quantum dots * ballistic transport * semiconductor heterojunctions
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 3.596, year: 2007

Self assembled InAs quantum dots in GaAs/GaAlAs structures were examined by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy. The studied structures were grown by metal-organic chemical vapor deposition. Quantum dots with an image of elliptical shape were studied. Ballistic current-voltage characteristics through the quantum dot and outside the quantum dot are compared in the voltage range of 0,55 V to 2 V. In the voltage range from 0.55 V to 0.8 V examples of ballistic characteristics and their derivatives are given.

Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie byly studovány samouspořádané InAs kvantové tečky v GaAs/GaAlAs heterostruktuře. Měřené struktury byly narosteny metalorganickou epitaxií. Byly studovány tečky s eliptickým obrazem. Jsou uvedeny příklady spektroskopických chrakteristik na a mimo kvantovou tečku v napěťovém rozsahu 0,55V až 2V. Dále jsou uvedeny příklady spektroskopických charakteristik s jejich derivacemi v napěťovém rozsahu 0,55V až 0,8V.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0147275