1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots

0078520 - FZÚ 2007 RIV DE eng J - Journal Article
Kuldová, Karla - Křápek, V. - Hospodková, Alice - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Melichar, Karel - Hulicius, Eduard - Potemski, M. - Humlíček, J.
1.3 μm emission from InAs/GaAs quantum dots.
[1.3 μm emise InAs/GaAs kvantových teček.]
Physica Status Solidi C. Roč. 3, č. 11 (2006), s. 3811-3814. ISSN 1610-1634
R&D Projects: GA ČR GA202/05/0242; GA ČR GA202/06/0718; GA AV ČR KJB101630601
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : nanostructures * metalorganic vapor phase epitaxy * arsenides * semiconducting III–V materials
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

A strong red shift from 1.25 m to 1.45 m of room temperature photoluminescence maxima of single quantum dot layer structures covered by InxGa1-xAs strain reducing layer when increased In content (from 0 % to 29 %) is observed. The origin of the observed transitions has been explained using magnetophotoluminescence measurements and photoluminescence measurements for different pumping intensities at low temperature. Optical transition energies were calculated using a simple single-band effective mass model with energy-dependent effective mass. Comparing the calculated and measured energies, we can determine the thickness of the wetting layer and the sizes of the dots

V článku je popsán velký posun luminiscence k delším vlnovým délkám (od 1.25 m do 1.45 m) za pokojové teploty pro jednovrstvou strukturu kvantových teček přikrytých InxGa1-xAs vrstvou redukující napětí ve struktuře při vzrůstající koncentraci In (od 0 % do 29 %). Příslušné přechody byly studovány v magnetickém poli a při různém excitačním výkonu a srovnány s výpočty pomocí jednoduchého modelu jednočásticové efektivní hmotnosti s proměnnou energií
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0143602