Number of the records: 1  

Nenabíjející vysokovakuový režim rastrovacího elektronového mikroskopu

  1. 1.
    0047173 - ÚPT 2006 RIV CZ cze L - Prototype, f. module
    Frank, Luděk
    Nenabíjející vysokovakuový režim rastrovacího elektronového mikroskopu.
    [Non-charging high vacuum mode of the scanning electron microscope.]
    Internal code: CRITEN ; 2002
    Technical parameters: Metoda automatizovaného stanovení kritické energie elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu s katodovou čočkou, při níž se preparát nenabíjí, a procedura snímání lokálním nábojem nepoškozených mikrosnímků nevodivých preparátů ve vysokém vakuu.
    Economic parameters: Podstatné zjednodušení preparace nevodivých materiálů a živé hmoty pro mikroskopické pozorování, rozšíření rejstříku pracovních režimů mikroskopů.
    R&D Projects: GA AV ČR(CZ) IBS2065017
    Keywords : critical energy microscopy * electron microscopy of nonconductors * scanning electron microscopy
    Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

    Byla vypracována, ověřena a uplatněna metoda rastrovací elektronové mikroskopie při tzv. kritické energii, při níž je počet emitovaných elektronů v průměru shodný s počtem dopadajících elektronů a v preparátu zůstává zachována nábojová rovnováha. To umožňuje nenabíjející mikroskopii nevodičů i ve vysokém vakuu. Metoda je založena na měření časového vývoje obrazového signálu z poprvé osvětleného místa preparátu. Energie dopadu elektronů je řízena předpětím preparátu tvořícího katodu tzv. katodové čočky.

    Method has been elaborated, proved and implemented for scanning electron microscopy at the critical energy at which the average number of emitted electrons is identical with the number of incident electrons so the charge balance in the sample is preserved. This enables one to perform a non-charging microscopy of non-conductors even in a high vacuum. The method is based on measurement of time development of the image signal from a first illuminated sample site. Energy of electron impact is controlled via bias of the sample serving as cathode of so-called cathode lens.
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0138161

     
     
Number of the records: 1  

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.