Laterální protažení InAs/GaAs kvantových teček určené pomocí magnetofotoluminiscence

0044062 - FZÚ 2007 RIV CZ cze K - Conference Paper (Czech conference)
Křápek, V. - Kuldová, Karla - Oswald, Jiří - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Humlíček, J.
Laterální protažení InAs/GaAs kvantových teček určené pomocí magnetofotoluminiscence.
[Lateral elongation of InAs/GaAs quantum dots studied by magnetophotoluminescence.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova univerzita, 2006, s. 16-16.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./. Brno (CZ), 23.06.2006-28.06.2006]
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) KJB101630601; GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA ČR(CZ) GA202/05/0242; GA MŠMT(CZ) LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : quantum dot * GaAs * InAs * magnetophotoluminescence
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

Zkoumali jsme izolovanou vrstvu InAs kvantových teček na GaAs substrátu připravenou technikou MOVPE pomocí magnetofotoluminiscence v poli do 24 T. Fitováním energiových posunů jsme určili poměr laterálních délek 1.5 – 1.7 a efektivní hmotnost 0.04 – 0.05.

We have investigated single layer InAs QDs on GaAs substrate grown by MOVPE by means of magnetophotoluminescence up to 24 T. Fitting the field-dependence of band positions, we have found the ratio of lateral sizes within 1.5 –1.7, and the effective mass of 0.04 – 0.05.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0136931