MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí

0044056 - FZÚ 2007 RIV CZ cze K - Conference Paper (Czech conference)
Oswald, Jiří - Kuldová, Karla - Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Melichar, Karel - Vyskočil, Jan
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí.
[MOVPE InAs/GaAs quantum dots with long-wavelength emission.]
Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích. Brno: Masarykova univerzita, 2006, s. 14-14.
[Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./. Brno (CZ), 23.06.2006-28.06.2006]
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) KJB101630601; GA ČR(CZ) GA202/06/0718; GA ČR(CZ) GA202/05/0242; GA MŠMT(CZ) LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : quantum dot * GaAs * InAs * MOVPE * photoluminescence
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism

Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In_xGa_1-xAs redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.

One method which enables the shift of photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots toward longer wavelengths is the covering of the dots by In_xGa_1-xAs strain reducing layer. With the increasing x we have observed the shift of PL maxima from 1.28 μm to 1.46 μm.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0136926