Investigation of temperature dependence of electrical properties of InP:Mn Schottky diodes

0043103 - ÚFE 2007 RIV SK eng C - Conference Paper (international conference)
Kozak, Halina - Sopko, B. - Žďánský, Karel
Investigation of temperature dependence of electrical properties of InP:Mn Schottky diodes.
[Výzkum teplotní závislosti elektrických vlastností Schottkyho diod na InP:Mn.]
Proceedings of the 12th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter. Bratislava: Slovak University of Technology in Bratislava, 2006 - (Weis, M.; Vajda, J.), s. 137-141. ISBN 80-227-2424-6.
[APCOM 2006 - Applied Physics of Condensed Matter /12./. Malá Lučivná (SK), 21.06.2006-23.06.2006]
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) KAN400670651
Institutional research plan: CEZ:AV0Z20670512
Keywords : Schottky diodes * III-V semiconductors * Hall effect
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Electrical properties of Schottky diodes prepared on InP:Mn samples were studied by capacitance-voltage (C-V), volt-ampere (I-V), DLTS and Hall effect measurements. The Hall effect measurements yield the binding energy 220 meV for dominant acceptor. By analyzing the I-V characteristics, ideality factors and reverse leakage currents were evaluated. The estimates of the doping concentration and the barrier height values were gained from C-V measurements. DLTS measurements did not show any characteristic peak.

Elektrické vlastnosti Schottkyho diod připravených na InP:Mn vzorcích byly studovány pomocí měření DLTS, Halova jevu, kapacitně-napěťových (C-V) a volt-ampérových charakteristik (I-V). Měření Hallova jevu dává aktivační energii 220 meV pro dominantní akceptor. Analýzou I-V charakteristik byly oceněny faktor ideálnosti a svodový proud v závěrném směru. Výpočty koncentrací příměsí a výšky bariéry byly získány z C-V měření. Měření DLTS neprokázalo žádné charakteristické maximum.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0136190