Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields

0041076 - FZÚ 2007 RIV NL eng J - Journal Article
Smrčka, Ludvík - Vašek, Petr - Svoboda, Pavel - Goncharuk, Natalya - Pacherová, Oliva - Krupko, Yuriy - Sheikin, Y. - Wegscheider, W.
Magnetoresistance oscillations in GaAs/AlGaAs superlattices subject to in-plane magnetic fields.
[Oscilace magnetorezistence v supermřížkách GaAs/AlGaAs v paralelním magnetickém poli.]
Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. Roč. 34, - (2006), s. 632-635. ISSN 1386-9477. E-ISSN 1873-1759
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) IAA1010408
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : superlattice * Fermi surface * magnetoresistance
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.084, year: 2006

The MBE-grown GaAs/AlGaAs superlattice with Si-doped barriers has been used to study a 3D→ 2D transition under the influence of the in-plane component of an applied magnetic field. Positions of van Hove singularities in the DOS agree excellenty with magnetoresistance oscillations confirming a simple tight-binding model describes adequately the magnetoresistance of strongly coupled semiconductor superlattices.

Supermřížka GaAs/AlGaAs vypěstovaná technologií MBE byla využita ke studiu 3D - 2D přechodu pod vlivem paralelní složky vnějšího magnetického pole. Výsledky experimentu velmi dobře souvisí s výpočty hustoty stavů pomocí jednoduchého modelu těsné vazby.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0134662