Rare earth doped gallium nitride layers for photonics applications

0031882 - ÚFE 2006 RIV US eng C - Conference Paper (international conference)
Prajzler, V. - Hüttel, I. - Špirková, L. - Oswald, Jiří - Peřina, Vratislav - Zavadil, Jiří - Hamáček, J. - Machovič, V. - Burian, Z.
Rare earth doped gallium nitride layers for photonics applications.
[Tenké vrstvy GaN dotované vzácnými zeminami pro fotonické aplikace.]
Photonics, Devices, and Systems III. Proceedings from Photonics Prague 2005. Bellingham: SPIE The International Society for Optical Engineering, 2006 - (Tománek, P.; Hrabovský, M.; Miler, M.; Senderáková, D.), p.618018.1-618018.6. Proceedings of SPIE, 6180. ISBN 0-8194-6236-5. ISSN 0277-786X.
[Photonics Prague 2005. International Conference on Photonics, Devices and Systems /5./. Prague (CZ), 08.06.2005-11.06.2005]
R&D Projects: GA ČR(CZ) GA104/03/0385; GA ČR(CZ) GA104/03/0387
Institutional research plan: CEZ:AV0Z2067918
Keywords : gallium compounds * rare earth compounds * photoluminescence
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Preparation and characterization of Gallium Nitride (GaN) layers doped with Rare Earth (RE) ions is reported. GaN films were deposited by magnetron sputtering in Ar+N₂ gas mixture using Ga₂O₃ target as the source of Ga. Er₂O₃, Yb₂O₃, Pr₂O₃ and Nd₂O₃ pellets or Er and Yb powders laid on the top of the Ga₂O₃ target were used for RE doping. Prepared layers have been characterized by photoluminescence and transmission spectroscopy.

V práci je uvedena příprava a optická charakterizace tenkých vrstev GaN, dotovamných ionty vzácných zemin. Vrstvy byly připraveny magnetronovým naprašováním v atmosféře Ar+N₂ při použití terče Ga₂O₃ jako zdroje Ga. Pro dotování vzácnými zeminami byly použity kovové prášky (Er, Yb) či kousky kysličníků (Er₂O₃, Yb₂O₃, Pr₂O₃ and Nd₂O₃) položené na terči. Připravené vrstvy byly charakterizovány pomocí fotoluminiscenční a transmisní spektroskopie.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0132514