Gallium Nitride Thin Films Containing Rare Earth Ions Fabricated by Magnetron Sputtering

0030825 - ÚJF 2006 RIV PT eng C - Conference Paper (international conference)
Prajzler, V. - Huttel, I. - Špirková, J. - Hamáček, J. - Machovič, V. - Oswald, J. - Peřina, Vratislav - Havránek, Vladimír
Gallium Nitride Thin Films Containing Rare Earth Ions Fabricated by Magnetron Sputtering.
[Tenké vrstvy galium nitridu obsahující vzácné zeminy, připravené magnetronovým naprašováním.]
Conference Proceedings Book. University of Aveiro: MEDIAMIRA, Cluj-Napoca, 2005 - (Ali, N.; Gracio, J.; Jakson, M.), s. 202-204. ISBN 973-713-065-0.
[International Conference on Surfaces, Coatings and Nanostructured Materials - nanoSMat2005. Aveiro (PT), 07.09.2005-09.09.2005]
R&D Projects: GA ČR(CZ) GA104/03/0385; GA ČR(CZ) GA104/03/0387
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10480505
Keywords : gallium nitride * thin films
Subject RIV: BG - Nuclear, Atomic and Molecular Physics, Colliders

We report about fabrication and properties of the Rare Earth (RE) ions doped Gallium Nitride (GaN) thin films. The GaN thin films containing RE ions were deposited by magnetron sputtering. For the deposition we used gallium, gallium nitride or gallium oxide targets and argon + nitrogen gas mixture atmosphere. For the RE doping into the gallium nitride films, the RE oxide pellets, or RE powders were laid on the top of the used target. The results of the experiments were evaluated in the terms of the relations between the technology/precursors approaches and the composition and luminescence properties of the fabricated RE doped GaN layers.

Je popsána příprava a vlastnosti galium nitridových vrstev obsahujících ionty vzácných zemin. Vrstvy jsou deponovány magnetronovým naprašováním z galia, galium nitridu event. kysličníku galia v atmosféře směsi dusíku a argonu. Pro dopování byly na vrch terčíku umístěny tablety kysličníků vzácných zemin nebo kovové prášky. Výsledky byly porovnány z hlediska vztahů mezi způsobem přípravy, výsledným složením a luminiscenčními vlastnostmi připravených dopovaných vrstev.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0131642