Kvantifikace hustoty rozložení dopantu v polovodiči s pomocí REM

0022852 - ÚPT 2006 CZ cze K - Conference Paper (Czech conference)
Mika, Filip - Frank, Luděk
Kvantifikace hustoty rozložení dopantu v polovodiči s pomocí REM.
[Quantification of the dopant in semiconductor in SEM.]
Mikroskopie 2005. Praha: Československá mikroskopická společnost, 2005, s. 41.
[Mikroskopie 2005. Nové Město na Moravě (CZ), 24.2.2005-25.2.2005]
R&D Projects: GA ČR(CZ) GA102/05/2327
Keywords : dopant * semiconductor * se kontrast
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Ačkoliv je kontrast dopantu v SEM studován více než jedno desetiletí, bezesporné vysvětlení jeho vzniku prozatím nebylo publikováno. Bylo zjištěno, že p-typ křemíku je v obraze SE světlejší než n-typ. Cílem práce je prozkoumat vliv emisního úhlu signálních elektronů na kontrast.

The dopant contrast in SEM has now been studied for more than a decade, a clear explanation of it remains a matter for the future. The angular dependence of the contrast has also not been fully clarified. Generally, p-type silicon appears brighter in the secondary electron (SE) emission than n-type. This study aims to examine the contrast behaviour with the emission angle.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0111562