Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

0022564 - ÚPT 2006 CZ cze K - Conference Paper (Czech conference)
Mika, Filip
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů.
[Quantitative 2D dopant profiling in semiconductor by the secondary electron emission.]
PDS 2004 - Sborník prací doktorandů oboru Elektronové optiky. Brno: ÚPT AV ČR, 2005, s. 37-42. ISBN 80-239-4561-0.
[PDS 2004. Brno (CZ), 15.03.2005]
R&D Projects: GA AV ČR(CZ) KJB2065301
Keywords : dopant * semiconductor * se contrast
Subject RIV: JA - Electronics ; Optoelectronics, Electrical Engineering

Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.

The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0111292