0540512 - FZÚ 2021 RIV CZ cze Z - Pilot plant, v. technol., variety, breed
Hubáček, Tomáš - Hospodková, AlicePříprava funkční heterostruktury InGaN/GaN na safírovém substrátu.
[Preparation of functional InGaN/GaN heterostructure on sapphire substrate.]
Internal code: InGaN1 ; 2020
Technical parameters: Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů. Dosvit nejrychlejší složky pod 3 ns.
Economic parameters: Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
R&D Projects: GA TA ČR TH02010580; GA MŠMT(CZ) LO1603
Institutional support: RVO:68378271
Keywords : GaN * InGaN * heterostructure * scintillation detection * MOVPE
OECD category: Optics (including laser optics and quantum optics)
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0318142
