Basket

0318588 - FZÚ 2009 RIV NL eng J - Journal Article
Hospodková, Alice - Pangrác, Jiří - Oswald, Jiří - Hulicius, Eduard - Kuldová, Karla - Vyskočil, Jan - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots.
[Vliv krycí vrstvy na vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček připravených technologií MOVPE.]
Journal of Crystal Growth. Roč. 310, č. 23 (2008), s. 5081-5084. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
R&D Projects: GA AV ČR IAA100100719; GA ČR GA202/06/0718
Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
Keywords : atomic force microscopy * nanostructures * low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy * semiconducting III–V materials
Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
Impact factor: 1.757, year: 2008
Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0167961