Basket

  1. 1.
    0085159 - FZÚ 2008 RIV NL eng J - Journal Article
    Hospodková, Alice - Hulicius, Eduard - Oswald, Jiří - Pangrác, Jiří - Mates, Tomáš - Kuldová, Karla - Melichar, Karel - Šimeček, Tomislav
    Properties of MOVPE InAs/GaAs quantum dots overgrown by InGaAs.
    [Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček přerůstaných InGaAs připravených pomocí MOVPE.]
    Journal of Crystal Growth. Roč. 298, - (2007), s. 582-858. ISSN 0022-0248. E-ISSN 1873-5002
    R&D Projects: GA AV ČR KJB101630601; GA ČR GA202/06/0718; GA MŠMT LC510; GA MŠMT(CZ) LC06040
    Institutional research plan: CEZ:AV0Z10100521
    Keywords : nanostructures * metalorganic vapor phase epitaxy * arsenides * semiconducting III-V materials
    Subject RIV: BM - Solid Matter Physics ; Magnetism
    Impact factor: 1.950, year: 2007
    Permanent Link: http://hdl.handle.net/11104/0147727
     
     

  This site uses cookies to make them easier to browse. Learn more about how we use cookies.